Название проекта:
Разработка технологии и создание прототипов легированных мемристивных структур Si:Ag для перспективных элементов наноэлектроники с использованием ионно-плазменного осаждения
Направление проекта:
Современные материалы и технологии их создания
Приоритетное направление:
Индустрия наносистем
Критическая технология федерального уровня:
Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств
Отрасль экономики:
Добыча прочих полезных ископаемых
Область знаний:
Материалы для электроники и радиотехники
Ключевые слова:
память, технология
Автор проектной идеи, участник реализации проекта:
Фамилия, Имя, Отчество:
Коива Дарья Александровна
Дата рождения:
03.02.1997
Пол:
-
Почтовый индекс:
236006
Почтовый адрес:
236016, A.Nevskogo str, 14
Регион:
Калининградская область
Город:
Калининград
Номер телефона:
8(952) 794-6883
Факс:
-
Контактный email:
dkoiva@innopark.kantiana.ru
Учёная степень:
-
Учёное звание:
-
Место учебы:
БФУ им. И. Канта
Специальность:
физика
Место работы:
БФУ им. И. Канта
Должность:
Аспирант
Профессиональные достижения:
- навыки работы с установкой роста тонкопленочных покрытий методом ионно-плазменного напыления. Разработка, усовершенствование и успешная апробация компонентов прибора для проведения экспериментов; - создание многослойных тонкопленочных сверхрешеток для проведения химических экспериментов на источниках синхротронного излучения в стоячих волнах.
КОМАНДА (перечислить всех членов команды):
-
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ ПРОЕКТА:
Цель выполнения НИОКР:
Разработка технологии создания мемристивных структур, обладающих синаптическими свойствами, а также способных к выполнению задач для параллельной обработки информации, включая обучение и принятие решений, на основе композитной структуры Si-Ag, выращенной методом ионно-плазменного напыления.
Задачи выполнения НИОКР:
Разработка нового средства хранения данных
Научная новизна предлагаемых в проекте решений:
Требования к надежности - показатели надежности должны быть указаны в технических условиях на изделия конкретного вида в соответствии с ГОСТ 20397-82. Нормируемые параметры: - параметр потока отказов (должен быть не более 1 • 10-4 1/ч); - среднее время восстановления работоспособности (не должно быть более 1 ч - Значения среднего времени восстановления работоспособного состояния следует устанавливать с дискретностью 0,25 ч. ); средний срок службы по ГОСТ 21552-84; средний срок сохраняемости (до ввода в эксплуатацию) - устанавливают в стандартах и технических условиях на изделия с учетом воздействия факторов, указанных в ГОСТ 21552-84., но не менее 12 мес; Показатели надежности изделий, за исключением среднего срока сохраняемости, устанавливают для нормальных климатических условий эксплуатации. Метрологические характеристики должны нормироваться для рабочих или нормальных условий эксплуатации (применения) и устанавливаться в ТЗ и ТУ на изделия конкретного вида. Условия нормирования - по ГОСТ 8.009-84. Требования устойчивости к механическим и климатическим воздействиям комплектующих изделий электронной техники и электротехники - по ГОСТ 16962-71. Требования стойкости к внешним воздействиям по ГОСТ 20397-82 - эксплуатация должна осуществляться в помещениях при температуре от +5 до + 35 С при влажности не более 85%. Нормальные климатические условия эксплуатации изделий - по ГОСТ 21552-84. Маркировка изделий - по ГОСТ 21552-84. Изделия в упаковке транспортируют на любое расстояние транспортом видов, установленных ГОСТ 21552-84. Изделия в упаковке для транспортирования должны выдерживать без повреждений воздействие климатических и механических факторов по ГОСТ 21552-84., и в соответствии с правилами перевозки грузов, действующими на транспорте каждого вида. Для упаковывания изделий следует применять потребительскую и транспортную тару. Вид тары (потребительской, транспортной или их сочетаний) следует указывать в технических условиях на изделия конкретных видов. В качестве потребительской тары следует применять: ящики из гофрированного картона - по ГОСТ 9142-90; коробки из картона - по ГОСТ 12301-81; деревянные футляры - по ГОСТ 14225-83; пластмассовые, пенополистироловые, пенополиуретановые футляры по рабочим чертежам, утвержденным в установленном порядке; чехлы из полиэтиленовой пленки толщиной 0,15 - 0,30 мм - по ГОСТ 10354-82; пачки из картона - по ГОСТ 12303-80. В качестве транспортной тары следует применять: ящики из листовых древесных материалов - по ГОСТ 5959-80, ГОСТ 10198-91; дощатые ящики - по ГОСТ 2991-85 и ГОСТ 10198-91; щики из гофрированного картона - по ГОСТ 9142-90 и ГОСТ 22852-77. В качестве амортизационных материалов следует применять прокладки из гофрированного картона - по ГОСТ 7376-89, пенополистирола, пенополиуретана, обрезков бумаги или губчатой резины и других материалов, обладающих амортизационными свойствами. Хранение изделий - по ГОСТ 21552-84. Длительное хранение может производиться в помещениях при температурах от –10С до 55С и влажности не более 90% Консервация - по ГОСТ 21552-84. Требования к электропитанию изделий - по ГОСТ 21552-84. Требования к не симметрии фазных напряжений и к допускаемому падению напряжения на помехоподавляющих фильтрах устанавливают в ТЗ и ТУ на изделия конкретных видов. Требования безопасности - по ГОСТ 21552-84.
Обоснование необходимости проведения НИОКР:
Основные технические параметры, определяющие количественные, качественные и стоимостные характеристики продукции (в сопоставлении с существующими аналогами, в т.ч. мировыми) * 1. Гистерезистный характер вольт-амперной характеристики устройства. 2. Переключение должно наблюдаться в пределах от -4 до 4В, при токе меньше 1 мкА. Значения приблизительно равные параметрам полученным Вей Лю, но при этом переключение должно быть более плавным. 3. В отличие от мемристора, разработанного компанией Hewlett-Packard на основе оксида титана, предлагаемое нами устройство на основе Si:Ag можно легко интегрировать с традиционными кремниевыми компьютерными схемами.
Научный руководитель:
Ф.И.О.
-
Должность
-
Ученая степень
-
Звание
-
Адрес
-
Телефон
-
Email
-
КОММЕРЦИАЛИЗУЕМОСТЬ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИХ РЕЗУЛЬТАТОВ:
Область применения
Элементы памяти, логические элементы микросхем, искусственные нейроны, прототипы электронного мозга.
Имеющиеся аналоги
Аналогов продукта не имеется
План реализации
В рамках реализации проекта предполагается оптимизация метода формирования сверхтонких «слоев» Ag (менее 1 нм), представляющих из себя равномерно распределенные кластеры в чередовании с сплошными и гладкими слоями Si в одном вакуумном цикле, а так же проведение исследований поверхностных и электрофизических свойств тонкопленочных многослойных структур мемристоров на основе Si/Ag, выращенных методом ионно-плазменного напыления. Кроме того, в качестве первичной апробации функциональных свойств формируемых систем планируется провести исследования электрофизических свойств путем локального измерения вольт- амперных характеристик.
Куратор новатора
Инновационная инфраструктура
Место научной реализации проекта
Наименование
-
Контактное лицо
-
Телефон
-
Email
-
Наличие договора
Нет
Место коммерческой реализации проекта
Наименование
-
Контактное лицо
-
Телефон
-
Email
-
Наличие договора
Нет
Стадия проекта:
НИР/Лабораторные испытания
Проект получил грантовую поддержку:
Да ,Программа УМНИК Фонда содействия Инновациям
План развития результатов реализации проекта
-
Презентация проекта
Результаты реализации проекта
Полученная интеллектуальная собственность
-
Описание полученного продукта
-
Презентация Продукта
Фотогалерея продукта
Потребности новатора:
Потребность в инвестициях:
Нет
Потребность в продаже интеллектуальной собственности:
Нет
Потребность в членах команды:
Нет
Потребность в получении услуг ментора
Да
Потребность в получении экспертизы проекта
Да
Потребность в получении услуг научного руководителя
Да
ПОТРЕБНОСТИ В ПАРТНЕРАХ
Для совместной реализации проекта:
Да
Для продвижения результатов реализации проекта:
Да
Для коммерциализации результатов реализации проекта:
Да
🗙